Datasheet下载- 型号： SI4330DY-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4330DY-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4330DY-T1-E3价格参考。VishaySI4330DY-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4330DY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4330DY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4330DY-T1-E3 是一款由两个 P 沟道 MOSFET 组成的场效应晶体管（FET）阵列器件，常用于电源管理和负载开关等应用场景。该器件具有低导通电阻、高集成度和小封装的特点，适用于对空间和效率要求较高的电子系统。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于 DC-DC 转换器、负载开关或电源多路复用，实现对不同电源路径的高效控制。 2. 电池供电设备：如笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携设备中，用于控制电池充放电或切断闲置电路以降低功耗。 3. 电机控制和继电器替代：在小型电机、继电器驱动电路中作为开关元件，具有响应快、无机械磨损等优点。 4. 工业控制系统：用于工业自动化设备中的信号切换和功率控制模块。 5. 通信设备：在网络通信设备中用于电源隔离、热插拔控制和接口保护。 SI4330DY-T1-E3 采用小型 TSOP 封装，适合高密度 PCB 布局，同时具备良好的热稳定性和可靠性，适用于多种中低功率应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4330DY-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 16.5 毫欧 @ 8.7A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4330DY-T1-E3TR |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.6A |
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