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Datasheet下载- 型号： SSM6L11TU(TE85L,F)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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SSM6L11TU(TE85L,F)产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SSM6L11TU(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSM6L11TU(TE85L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.SSM6L11TU(TE85L,F)封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 20V 500mA 500mW 表面贴装 UF6。您可以下载SSM6L11TU(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SSM6L11TU(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 SSM6L11TU(TE85L,F) 的 Toshiba Semiconductor and Storage 品牌晶体管属于 MOSFET 阵列 类别，主要应用于以下场景： 该器件为双P沟道增强型MOSFET，常用于负载开关、电源管理、DC-DC转换器、电池供电设备及便携式电子产品中。其小型封装（如TSOP）适合空间受限的设计，适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等消费类电子产品。 此外，SSM6L11TU也用于电机驱动、继电器驱动和传感器接口电路，具备良好的开关特性和较低的导通电阻，有助于提高系统效率并减少发热。其高可靠性也使其适用于工业控制和通信设备中的电源管理模块。 综上，该MOSFET阵列主要应用于高效、低功耗、小型化电子系统中的电源控制与转换场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 20V 0.5A UF6 S |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6L11TU |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SSM6L11TU(TE85L,F) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 268pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 145毫欧 @ 250MA， 4V |
| 供应商器件封装 | UF6 |
| 其它名称 | SSM6L11TU(TE85LF)DKR |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 500mA |
