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Datasheet下载- 型号： TPC8207(TE12L,Q)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TPC8207(TE12L,Q)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TPC8207(TE12L,Q)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TPC8207(TE12L,Q)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TPC8207(TE12L,Q)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TPC8207(TE12L,Q) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 TPC8207(TE12L,Q) 的晶体管由 Toshiba Semiconductor and Storage 生产，属于 MOSFET 阵列 类别。该器件包含两个N沟道增强型MOSFET，常用于需要高效开关和负载管理的场合。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、电源开关电路，用于提高能量转换效率并减小电路尺寸。 2. 电机驱动：在小型电机控制电路中作为开关元件，常见于电动工具、家电及自动化设备中。 3. 负载开关：用于控制高电流负载的通断，如LED照明、加热元件等。 4. 电池供电设备：应用于笔记本电脑、移动电源、便携式电子设备中，实现低功耗与高效能管理。 5. 汽车电子：用于车载电源系统、车灯控制、电机控制等场景，满足车载环境对稳定性和可靠性的要求。 该器件采用小型封装，具备低导通电阻、高耐压和良好热稳定性，适合高密度电路设计和中功率应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH DUAL 20V 6A SOP-8 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | TPC8207(TE12L,Q) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 200µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2010pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 20 毫欧 @ 4.8A，4V |
| 供应商器件封装 | 8-SOP（5.5x6.0） |
| 其它名称 | TPC8207TE12LQ |
| 功率-最大值 | 750mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A |
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