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产品简介:
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ON Semiconductor(安森美)的NTZD3152PT5G是一款双通道N沟道MOSFET阵列,采用SOT-563(SC-88)超小型封装,适用于空间受限的便携式电子设备。该器件主要应用于需要高效开关和低功耗控制的场景。 典型应用场景包括: 1. 便携式电子产品:如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中,用于电源管理、负载开关或LED背光驱动,得益于其小尺寸和低导通电阻(RDS(on)),有助于提升能效并节省PCB空间。 2. 电池供电系统:在电池管理系统(BMS)或充电电路中实现充放电控制与保护功能,具备良好的热稳定性和快速响应能力。 3. DC-DC转换器:作为同步整流或开关元件,用于升压/降压电源模块,提高转换效率。 4. 信号切换与逻辑控制:在低电压逻辑电路中用于信号路由或电平转换,支持3.3V或5V逻辑接口。 5. 电机驱动与继电器替代:用于微型电机控制或固态开关设计,减少电磁干扰和机械磨损。 NTZD3152PT5G具有低阈值电压特性,适合由低压逻辑信号直接驱动,同时具备优良的开关性能和可靠性,广泛用于消费电子、工业控制和通信设备中的高密度集成设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET P-CHAN DUAL 20V SOT-563 |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NTZD3152PT5G |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 175pF @ 16V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.5nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 900 毫欧 @ 430mA,4.5V |
供应商器件封装 | SOT-563 |
功率-最大值 | 250mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
标准包装 | 8,000 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 430mA |