Datasheet下载- 型号： SI4904DY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4904DY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4904DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4904DY-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4904DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4904DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4904DY-T1-GE3 是一款双通道 N 沟道 MOSFET 阵列，属于晶体管 - FET、MOSFET - 阵列类别。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - 负载开关：SI4904DY-T1-GE3 可用于实现高效的负载开关功能，控制电路中不同负载的通断。 - DC-DC 转换器：在降压或升压转换器中，该器件可用作同步整流 MOSFET，提高转换效率并降低功耗。 - 电池管理：适用于电池保护电路，例如防止过流、短路或反向电流。 2. 信号切换 - 音频信号切换：在音频设备中，可用于切换不同的输入或输出信号路径，同时保持低导通电阻以减少信号失真。 - 数据线切换：在 USB 或其他高速数据接口中，作为信号切换开关，确保低插入损耗和高可靠性。 3. 电机驱动 - 小型电机控制：适用于低功率直流电机的启动、停止和速度控制，提供高效且稳定的驱动能力。 - H 桥电路：在简单的 H 桥配置中，可用于双向电机控制。 4. 保护电路 - 过流保护：通过快速响应过流情况，保护下游电路免受损坏。 - 热插拔保护：在服务器或通信设备中，用于防止热插拔时的浪涌电流。 5. 消费电子 - 便携式设备：如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电源管理模块，提供高效的电源分配和保护。 - LED 驱动：用于驱动 LED 灯条或背光电路，支持亮度调节和多路控制。 6. 工业应用 - 传感器接口：在工业自动化设备中，用作传感器信号的开关或放大器驱动。 - 继电器替代：由于其快速开关特性和低功耗，可以替代传统机械继电器，用于频繁开关的应用场景。 7. 汽车电子 - 车载电子系统：如车窗升降器、座椅调节器等小型电机控制，以及车内照明系统的驱动。 - 电池管理系统 (BMS)：在电动汽车或混合动力汽车中，用于电池组的充放电保护和均衡管理。 SI4904DY-T1-GE3 的小尺寸封装（TSSOP）和低导通电阻特性使其非常适合空间受限且对效率要求较高的应用场合。此外，其出色的电气性能和可靠性也使其成为多种现代电子设备的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOICMOSFET 40V 8.0A 3.25W 16mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 8 A |
| Id-连续漏极电流 | 8 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4904DY-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4904DY-T1-GE3SI4904DY-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 16 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 16 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| 上升时间 | 20 ns, 117 ns |
| 下降时间 | 10 ns, 19 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2390pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 85nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 16 毫欧 @ 5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4904DY-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 56 ns, 62 ns |
| 功率-最大值 | 3.25W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SI4904DY-GE3 |
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