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  • 型号: PMDT290UCE,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PMDT290UCE,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PMDT290UCE,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMDT290UCE,115价格参考。NXP SemiconductorsPMDT290UCE,115封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 20V 800mA,550mA 500mW 表面贴装 SOT-666。您可以下载PMDT290UCE,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMDT290UCE,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PMDT290UCE,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款晶体管 - FET,MOSFET - 阵列型号。其应用场景主要集中在需要高效、低功耗和高集成度的电子设备中,具体如下:

 1. 电源管理
   - PMDT290UCE,115 适用于各种电源管理场景,例如 DC-DC 转换器、负载开关和电压调节模块(VRM)。由于其低导通电阻(Rds(on))特性,能够有效降低功率损耗,提高转换效率。
   - 在电池供电设备中(如智能手机、平板电脑等),该器件可以优化能源使用,延长电池寿命。

 2. 消费电子
   - 广泛应用于消费电子产品,如智能音箱、智能家居控制器、可穿戴设备等。这些设备通常需要小型化设计和低功耗性能,而该 MOSFET 阵列能够满足这些需求。
   - 在 USB-C 和 PD(Power Delivery)接口中,可用于控制电流流向和保护电路免受过流或短路影响。

 3. 通信与网络设备
   - 适用于路由器、交换机、网关等通信设备中的信号切换和电源管理。其快速开关特性和低电容设计有助于减少信号延迟和电磁干扰(EMI)。
   - 在基站和无线模块中,可用于射频前端的功率放大器偏置控制。

 4. 工业自动化
   - 在工业控制领域,如电机驱动、传感器接口和数据采集系统中,PMDT290UCE,115 可用于实现高效的功率分配和信号隔离。
   - 其耐用性和可靠性使其适合在恶劣环境下运行,例如高温、高湿或高频振动条件。

 5. 汽车电子
   - 在车载信息娱乐系统、车身控制模块(BCM)和电动助力转向(EPS)系统中,该器件可用于电源管理和信号切换。
   - 符合 AEC-Q101 标准的版本(如有)可直接应用于汽车级应用,确保长期稳定性和安全性。

 6. 便携式医疗设备
   - 在便携式医疗设备(如血糖仪、脉搏血氧仪等)中,该 MOSFET 阵列可用于优化电池续航时间和电路保护功能。

总之,PMDT290UCE,115 凭借其高性能、紧凑封装和可靠性,成为众多现代电子设备中不可或缺的关键组件,尤其适合对效率和空间有严格要求的应用场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N/P-CH 20V SOT666MOSFET 20/20V, 800/550 mA N/P-ch Trench MOSFET

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

N 和 P 沟道

Id-ContinuousDrainCurrent

800 mA

Id-连续漏极电流

800 mA

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMDT290UCE,115-

数据手册

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产品型号

PMDT290UCE,115

PCN封装

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Pd-PowerDissipation

330 mW

Pd-功率耗散

330 mW

Qg-GateCharge

0.45 nC, 0.76 nC

Qg-栅极电荷

0.45 nC, 0.76 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

290 mOhms, 670 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

290 mOhms, 670 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V, - 20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

上升时间

4 ns, 30 ns

下降时间

31 ns, 72 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

0.95V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

83pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

0.68nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

380 毫欧 @ 500mA,4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-666

其它名称

568-10765-6

功率-最大值

500mW

包装

Digi-Reel®

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

290 mOhms, 670 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

SOT-563,SOT-666

封装/箱体

SOT-666-6

工厂包装数量

4000

晶体管极性

N and P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

1.6 S

汲极/源极击穿电压

20 V, - 20 V

漏极连续电流

800 mA

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

800mA, 550mA

配置

Dual

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