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PMDT290UCE,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PMDT290UCE,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMDT290UCE,115价格参考。NXP SemiconductorsPMDT290UCE,115封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 20V 800mA,550mA 500mW 表面贴装 SOT-666。您可以下载PMDT290UCE,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMDT290UCE,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMDT290UCE,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款晶体管 - FET,MOSFET - 阵列型号。其应用场景主要集中在需要高效、低功耗和高集成度的电子设备中,具体如下: 1. 电源管理 - PMDT290UCE,115 适用于各种电源管理场景,例如 DC-DC 转换器、负载开关和电压调节模块(VRM)。由于其低导通电阻(Rds(on))特性,能够有效降低功率损耗,提高转换效率。 - 在电池供电设备中(如智能手机、平板电脑等),该器件可以优化能源使用,延长电池寿命。 2. 消费电子 - 广泛应用于消费电子产品,如智能音箱、智能家居控制器、可穿戴设备等。这些设备通常需要小型化设计和低功耗性能,而该 MOSFET 阵列能够满足这些需求。 - 在 USB-C 和 PD(Power Delivery)接口中,可用于控制电流流向和保护电路免受过流或短路影响。 3. 通信与网络设备 - 适用于路由器、交换机、网关等通信设备中的信号切换和电源管理。其快速开关特性和低电容设计有助于减少信号延迟和电磁干扰(EMI)。 - 在基站和无线模块中,可用于射频前端的功率放大器偏置控制。 4. 工业自动化 - 在工业控制领域,如电机驱动、传感器接口和数据采集系统中,PMDT290UCE,115 可用于实现高效的功率分配和信号隔离。 - 其耐用性和可靠性使其适合在恶劣环境下运行,例如高温、高湿或高频振动条件。 5. 汽车电子 - 在车载信息娱乐系统、车身控制模块(BCM)和电动助力转向(EPS)系统中,该器件可用于电源管理和信号切换。 - 符合 AEC-Q101 标准的版本(如有)可直接应用于汽车级应用,确保长期稳定性和安全性。 6. 便携式医疗设备 - 在便携式医疗设备(如血糖仪、脉搏血氧仪等)中,该 MOSFET 阵列可用于优化电池续航时间和电路保护功能。 总之,PMDT290UCE,115 凭借其高性能、紧凑封装和可靠性,成为众多现代电子设备中不可或缺的关键组件,尤其适合对效率和空间有严格要求的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 20V SOT666MOSFET 20/20V, 800/550 mA N/P-ch Trench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 800 mA |
| Id-连续漏极电流 | 800 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMDT290UCE,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMDT290UCE,115 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 330 mW |
| Pd-功率耗散 | 330 mW |
| Qg-GateCharge | 0.45 nC, 0.76 nC |
| Qg-栅极电荷 | 0.45 nC, 0.76 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 290 mOhms, 670 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 290 mOhms, 670 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V, - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 4 ns, 30 ns |
| 下降时间 | 31 ns, 72 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 0.95V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 83pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.68nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 380 毫欧 @ 500mA,4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 568-10765-6 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 290 mOhms, 670 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-666-6 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 1.6 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V, - 20 V |
| 漏极连续电流 | 800 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 800mA, 550mA |
| 配置 | Dual |