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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTLJD3119CTBG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTLJD3119CTBG价格参考。ON SemiconductorNTLJD3119CTBG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTLJD3119CTBG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTLJD3119CTBG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTLJD3119CTBG 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品。该型号属于双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于多种电子电路设计场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - 负载切换:用于控制负载的开启与关闭,例如在便携式设备中实现高效的电源管理。 - 低压降开关:由于其低导通电阻(Rds(on)),可以有效减少功率损耗,适用于电池供电设备。 - DC-DC 转换器:作为同步整流器或开关元件,用于升压、降压或反相转换器。 2. 信号切换 - 模拟信号切换:可用于音频信号、传感器信号或其他低频信号的切换,确保信号完整性。 - 数字信号切换:在需要隔离或分配数字信号的应用中,提供高速切换能力。 3. 电机驱动 - 小型电机控制:适用于步进电机、直流无刷电机等的小功率驱动场景。 - H 桥电路:通过组合多个 MOSFET 实现双向电机控制。 4. 保护电路 - 过流保护:利用其快速响应特性,检测并限制过电流,防止电路损坏。 - 短路保护:在发生短路时迅速切断电流路径,保护下游电路。 5. 消费类电子产品 - 智能手机和平板电脑:用于内部电源管理和信号切换。 - USB 电源分配:在多端口充电器中实现动态功率分配。 6. 工业应用 - 传感器接口:在工业自动化系统中,用于控制传感器的电源或信号切换。 - 数据通信:在 RS-232、RS-485 等通信接口中用作电平转换或信号隔离。 7. 汽车电子 - 车载娱乐系统:用于音频放大器的电源管理或信号切换。 - LED 照明控制:驱动车内 LED 灯光,调节亮度或颜色。 特性优势 - 低导通电阻:减少功率损耗,提高效率。 - 高开关速度:适合高频应用,降低开关损耗。 - 小型封装:节省 PCB 空间,便于小型化设计。 综上所述,NTLJD3119CTBG 的应用场景广泛,尤其适合需要高效、紧凑和可靠解决方案的电子设备设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N/P-CH 20V 6WDFNMOSFET COMP 2X2 20V 3.8A 100mOhm |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | N 和 P 沟道 |
Id-连续漏极电流 | 3.8 A |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTLJD3119CTBGµCool™ |
数据手册 | |
产品型号 | NTLJD3119CTBG |
Pd-PowerDissipation | 0.71 W |
Pd-功率耗散 | 710 mW |
RdsOn-漏源导通电阻 | 100 mOhms |
Vds-漏源极击穿电压 | 21 V, - 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
上升时间 | 4.7 ns, 13.2 ns |
下降时间 | 4.7 ns, 13.2 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 271pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.7nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 65 毫欧 @ 3.8A,4.5V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 6-WDFN(2x2) |
其它名称 | NTLJD3119CTBGOSDKR |
典型关闭延迟时间 | 11.1 ns, 13.7 ns |
功率-最大值 | 710mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 65 mOhms at 4.5 V at N Channel, 100 mOhms at 4.5 V at P Channel |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
封装/箱体 | 506AN-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N and P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 4.2 S, 3.1 S |
汲极/源极击穿电压 | 21 V, - 20 V |
漏极连续电流 | 3.8 A |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.6A,2.3A |
系列 | NTLJD3119C |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Complementary |