Datasheet下载- 型号： IRF7304PBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7304PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7304PBF价格参考。International RectifierIRF7304PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF7304PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7304PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF7304PBF 是英飞凌（Infineon Technologies）生产的晶体管产品，属于 FET/MOSFET 阵列类别。该型号的应用场景主要集中在需要高效开关和低功耗的电子电路中。以下是其主要应用场景： 1. 电机驱动 IRF7304PBF 适合用于小型直流电机或步进电机的驱动电路。由于其双 MOSFET 阵列设计，可以分别控制高边和低边开关，适用于 H 桥电路或半桥驱动，实现电机的正转、反转及速度调节。 2. 电源管理 在开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器或降压/升压电路中，IRF7304PBF 可作为功率开关使用。其低导通电阻特性有助于减少功率损耗，提高电源转换效率。 3. 负载切换 该器件可用于负载切换应用，例如在汽车电子或工业控制中，快速且可靠地切换不同负载状态，同时保护电路免受过流或短路的影响。 4. 电池管理 在电池管理系统（BMS）中，IRF7304PBF 可用于电池充放电控制、保护电路以及均衡电路，确保电池组的安全和稳定运行。 5. 照明控制 适用于 LED 照明驱动电路，通过 PWM 调光技术调节亮度，同时保持高效的能量转换。 6. 信号隔离与传输 在需要电气隔离的应用中，IRF7304PBF 可与其他隔离元件配合使用，实现信号的安全传输，例如在工业自动化设备中。 总结来说，IRF7304PBF 凭借其双 MOSFET 阵列设计、低导通电阻和高可靠性，广泛应用于电机驱动、电源管理、负载切换、电池管理、照明控制以及信号隔离等领域。这些应用场景通常要求高效的功率开关和稳定的性能表现。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOICMOSFET DUAL -20V P-CH 12 VGS MAX |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 4.3 A |
| Id-连续漏极电流 | - 4.3 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7304PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7304PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| Qg-GateCharge | 14.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 14.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 140 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 140 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 26 ns |
| 下降时间 | 33 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 700mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 610pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 90 毫欧 @ 2.2A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 典型关闭延迟时间 | 51 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 功率耗散 | 2 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 140 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 14.7 nC |
| 标准包装 | 95 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 20 V |
| 漏极连续电流 | - 4.3 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.3A |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf7304.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf7304.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 闸/源击穿电压 | 12 V |
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