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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SSM6L35FU(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSM6L35FU(TE85L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.SSM6L35FU(TE85L,F)封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SSM6L35FU(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SSM6L35FU(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 SSM6L35FU(TE85L,F) 的晶体管属于 Toshiba Semiconductor and Storage 旗下的 MOSFET 阵列产品,主要应用于以下场景: 该器件为双P沟道MOSFET,采用小型表面贴装封装(TSSOP),适用于需要高集成度与高效率的电路设计。常见用于 电源管理 和 负载开关控制,如便携式电子设备、智能手机、平板电脑中的电源切换和电池保护电路。 此外,由于其低导通电阻(Rds(on))特性,也适用于 DC-DC转换器、同步整流 和 电机驱动电路,有助于提高能效并减少发热。 在 通信设备 和 工业控制系统 中,SSM6L35FU(TE85L,F) 可用于信号切换和功率控制,提供稳定可靠的性能。其封装设计适合自动化贴片生产,适合高密度PCB布局。 总结:该MOSFET阵列广泛应用于消费电子、通信、工业控制等领域的电源管理与开关控制电路中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6 |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 逻辑电平栅极,1.2V 驱动 |
FET类型 | N 和 P 沟道 |
品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6L35FU |
产品图片 | |
产品型号 | SSM6L35FU(TE85L,F) |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9.5pF @ 3V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3 欧姆 @ 50mA,4V |
供应商器件封装 | US6 |
其它名称 | SSM6L35FU(TE85LF)DKR |
功率-最大值 | 200mW |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 180mA,100mA |