Datasheet下载- 型号： NTZD3152PT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTZD3152PT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTZD3152PT1G价格参考。ON SemiconductorNTZD3152PT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTZD3152PT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTZD3152PT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTZD3152PT1G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款双N沟道MOSFET阵列器件，常用于需要高效开关和空间节省设计的场景。其典型应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、负载开关和电源分配系统，支持高效能和低导通电阻设计。 2. 电机控制：用于小型电机驱动电路，如风扇、泵或机器人系统中的电机控制。 3. 电池供电设备：如笔记本电脑、平板和便携式仪器，用于延长电池寿命并提高能效。 4. 负载开关与热插拔电路：实现对系统模块的快速通断控制，防止电流冲击。 5. 工业自动化：用于PLC、传感器模块和工业控制设备中，提供可靠的开关性能。 该器件采用小型封装，适合高密度PCB布局，同时具备低导通电阻和高开关速度，适用于中低功率应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT-563MOSFET -20V -430mA Dual P-Channel |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 430 mA |
| Id-连续漏极电流 | - 430 mA |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTZD3152PT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTZD3152PT1G |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.25 W |
| Pd-功率耗散 | 250 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 6 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 6 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 175pF @ 16V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 900 毫欧 @ 430mA，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NTZD3152PT1GOSCT |
| 典型关闭延迟时间 | 35 ns |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 功率耗散 | 0.25 W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 1 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-563-6 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 20 V |
| 漏极连续电流 | - 430 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 430mA |
| 系列 | NTZD3152P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 闸/源击穿电压 | +/- 6 V |
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