Datasheet下载- 型号： SI9955DY
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI9955DY由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI9955DY价格参考。Fairchild SemiconductorSI9955DY封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI9955DY参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI9955DY 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SI9955DY 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款双N沟道增强型MOSFET阵列，常用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景。其典型应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、同步整流器等，提高电源转换效率。 2. 负载开关：用于控制电源通断，如笔记本电脑、服务器等设备中的电源分配。 3. 电机驱动：在小型电机或步进电机控制电路中，作为高效开关元件。 4. 电池供电设备：如手持设备、移动电源等，用于低功耗、高效率的电源控制。 5. 工业控制：用于PLC、传感器模块、继电器替代方案等工业自动化设备中。 该器件采用小型DFN封装，导通电阻低（典型值<20mΩ），支持高电流和高频操作，适合空间受限且对效率要求高的设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI9955DY |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 345pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 130 毫欧 @ 3A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | SI9955DYDKR |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 50V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3A |
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