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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN601DWK-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN601DWK-7价格参考。Diodes Inc.DMN601DWK-7封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DMN601DWK-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMN601DWK-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMN601DWK-7是一款晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品,广泛应用于多种电子电路设计中。以下是该型号的主要应用场景: 1. 电源管理:DMN601DWK-7适用于各种电源管理解决方案,例如DC-DC转换器、负载开关和LDO稳压器等。其低导通电阻(Rds(on))特性能够有效降低功耗,提高效率。 2. 信号切换:在需要高频信号切换的应用中,如音频设备、数据通信接口(USB、HDMI等),该器件可以提供快速且可靠的切换功能,同时保持较低的信号失真。 3. 电池保护与管理:用于便携式设备中的电池保护电路,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。它可以帮助实现过流、过压及短路保护,确保电池安全。 4. 电机驱动:小型直流电机或步进电机的驱动控制中,该MOSFET阵列能够支持高效的PWM调速和方向控制,适合玩具、家用电器等领域。 5. 背光驱动:在LED背光驱动电路中,DMN601DWK-7可用于调节亮度和色彩平衡,特别适用于液晶显示屏和其他需要精确电流控制的应用场合。 6. 汽车电子系统:虽然具体车规认证情况需查阅资料确认,但类似规格的MOSFET常被用于车载信息娱乐系统、传感器接口以及车身控制模块等非核心安全部件。 7. 消费类电子产品:包括但不限于数码相机、游戏控制器、遥控器等,这些产品通常要求紧凑型设计和高能效比,而DMN601DWK-7正好满足这些需求。 总之,DMN601DWK-7凭借其出色的电气性能和小型化封装特点,在众多领域内都有着广泛的适用性,为工程师提供了灵活的设计选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 60V 305MA SOT-363MOSFET Dual N-Channel |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 305 mA |
| Id-连续漏极电流 | 800 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN601DWK-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMN601DWK-7 |
| PCN其它 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 200 mW |
| Pd-功率耗散 | 200 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2000 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2 欧姆 @ 500mA,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 其它名称 | DMN601DWK-FCT |
| 其它图纸 |
|
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 305mA |
| 系列 | DMN601D |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |