Datasheet下载- 型号： IRF9358PBF
- 制造商： International Rectifier
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF9358PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF9358PBF价格参考。International RectifierIRF9358PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF9358PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF9358PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF9358PBF是由Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的一款晶体管，属于FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）阵列类别。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - IRF9358PBF常用于开关电源、DC-DC转换器和电压调节模块中。由于其低导通电阻和高切换效率，能够有效降低功耗并提高电源转换效率。 - 在电池管理系统（BMS）中，可用于控制电池充放电路径的开关。 2. 电机驱动 - 适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路。其快速开关特性和低损耗使其成为高效电机控制的理想选择。 - 可用于家用电器（如风扇、水泵等）中的电机驱动。 3. 信号切换 - 在需要高频信号切换的应用中，例如音频放大器、射频前端模块或数据通信设备中，IRF9358PBF可以作为信号路径的开关元件。 4. 负载开关 - 用作负载开关以实现对不同电路模块的供电控制。例如，在消费电子设备中，用于动态开启或关闭某些功能模块以节省能源。 5. 保护电路 - 在过流保护、短路保护或热保护电路中，IRF9358PBF可以用作关键的开关元件。当检测到异常情况时，迅速切断电流流动以保护整个系统。 6. 汽车电子 - 在汽车电子领域，可用于车窗升降器、座椅调节器、雨刷控制系统等需要精确电流控制的地方。 - 还可用于车载信息娱乐系统的电源管理和信号处理部分。 7. 工业自动化 - 在工业控制领域，例如可编程逻辑控制器（PLC）、传感器接口和执行器驱动中，该器件能提供稳定可靠的性能。 总结 IRF9358PBF凭借其优异的电气特性（如低Rds(on)、高耐压值和快速开关速度），广泛应用于各种需要高效功率转换、信号切换及保护功能的场景中。无论是消费类电子产品还是工业级应用，它都能满足多样化的需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOICMOSFET DUAL -30V P-CH HEXFET 16.3mOhms |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 9.2 A |
| Id-连续漏极电流 | - 9.2 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF9358PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF9358PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| Qg-GateCharge | 19 nC |
| Qg-栅极电荷 | 19 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 13 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 13 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 25µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1740pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 16.3 毫欧 @ 9.2A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率-最大值 | 2W |
| 功率耗散 | 2 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 13 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 栅极电荷Qg | 19 nC |
| 标准包装 | 95 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 30 V |
| 漏极连续电流 | - 9.2 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.2A |
| 配置 | Dual |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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