Datasheet下载- 型号： MCH6613-TL-E
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MCH6613-TL-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MCH6613-TL-E价格参考。ON SemiconductorMCH6613-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MCH6613-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MCH6613-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MCH6613-TL-E是安森美（ON Semiconductor）生产的一款P沟道MOSFET阵列，采用双通道配置，封装小型化（如TSOP-6），适用于空间受限的便携式电子设备。该器件主要应用于需要低电压、低功耗控制的场景。 典型应用场景包括： 1. 电源管理：用于电池供电设备中的负载开关或电源通断控制，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中对不同模块的供电管理。 2. 信号切换：在便携设备中实现信号路径的切换，如音频切换、传感器使能控制等。 3. DC-DC转换电路：作为同步整流或电平转换的一部分，提升电源转换效率。 4. 消费类电子产品：广泛用于笔记本电脑、移动电源、无线耳机等产品中，用于实现高效、低静态电流的开关功能。 MCH6613-TL-E具有低导通电阻（RDS(on)）、低阈值电压和高可靠性，适合3.3V或5V逻辑电平直接驱动，无需额外电平转换电路，简化设计。其小型封装有助于节省PCB空间，非常适合高密度集成的现代电子产品。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适用于工业级温度范围，稳定性强。 综上，MCH6613-TL-E是一款高性能、小尺寸的MOSFET阵列，特别适用于便携式设备中的电源与信号控制应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 30V 350MA MCPH6MOSFET PCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 350 mA |
| Id-连续漏极电流 | 350 mA |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor MCH6613-TL-E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MCH6613-TL-E |
| Pd-PowerDissipation | 800 mW |
| Pd-功率耗散 | 800 mW |
| Qg-GateCharge | 1.58 nC |
| Qg-栅极电荷 | 1.58 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.7 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.7 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| 上升时间 | 65 nS |
| 下降时间 | 120 nS |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.58nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.7 欧姆 @ 80mA，4V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-MCPH |
| 典型关闭延迟时间 | 155 nS |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-SMD，无引线 |
| 封装/箱体 | MCPH-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 350mA，200mA |
| 系列 | MCH6613 |
| 配置 | Dual |
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