Datasheet下载- 型号： PMGD130UN,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMGD130UN,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMGD130UN,115价格参考。NXP SemiconductorsPMGD130UN,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMGD130UN,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMGD130UN,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为PMGD130UN,115的FET器件由品牌NXP USA Inc.生产，属于MOSFET-阵列类别。该器件主要应用于需要高效功率管理和开关功能的场景。典型应用包括电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及工业自动化设备中的功率控制电路。由于其阵列结构，它也适用于需要多个MOSFET集成以节省空间和简化设计的场合，如通信设备、消费类电子产品和汽车电子模块。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好热性能，适合在中低功率应用中实现高效率和紧凑设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH DUAL 20V 6TSSOPMOSFET PMGD130UN/SC-88/REEL7 |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.3 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMGD130UN,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMGD130UN,115 |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 905 mW |
| Pd-功率耗散 | 905 mW |
| Qg-GateCharge | 0.88 nC |
| Qg-栅极电荷 | 0.88 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 118 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 118 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 0.7 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 0.7 V |
| 上升时间 | 17 ns |
| 下降时间 | 7 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 83pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.3nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 145 毫欧 @ 1.2A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 568-10792-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 17 ns |
| 功率-最大值 | 260mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | TSSOP-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.2A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
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