Datasheet下载- 型号： SI4830CDY-T1-E3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4830CDY-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4830CDY-T1-E3价格参考。VishaySI4830CDY-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4830CDY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4830CDY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4830CDY-T1-E3 是一款双N沟道增强型MOSFET阵列，常用于需要高效开关和功率控制的场景。典型应用包括： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、同步整流器，用于提高电源效率。 2. 负载开关：控制电池供电设备中的电源分配，如笔记本电脑、平板和智能手机。 3. 电机驱动：小型电机或步进电机的控制电路，适用于无人机、机器人和家电。 4. LED照明：用于LED驱动电路中的电流调节与开关控制。 5. 工业自动化：PLC模块、传感器接口和继电器替代方案，提升系统可靠性。 6. 汽车电子：车载充电系统、车身控制模块等对空间和效率有要求的场景。 其优势在于低导通电阻、小型封装和高可靠性，适合高密度PCB设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 通道（半桥） |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4830CDY-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | LITTLE FOOT® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 950pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 20 毫欧 @ 8A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率-最大值 | 2.9W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8A |
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