Datasheet下载- 型号： SI4965DY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4965DY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4965DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4965DY-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4965DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4965DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4965DY-T1-GE3 是一款双N沟道增强型MOSFET阵列器件，常用于需要高效功率控制和高集成度的电路设计中。该器件具有低导通电阻、高功率密度和优良的热性能，适合多种电源管理和负载开关应用场景。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、同步整流器和电源开关电路中，提高系统效率并减少功率损耗。 2. 电机驱动：适用于小型电机、步进电机或直流电机的控制电路，实现快速开关和高效能驱动。 3. 负载开关：作为高侧或低侧开关，用于控制电源对负载的供给，常见于电池供电设备和便携式电子产品中。 4. LED照明：用于LED背光或照明系统的调光与开关控制，支持PWM调光方式。 5. 工业自动化与控制：用于PLC、继电器替代、传感器接口等工业控制系统中，实现可靠和稳定的开关控制。 6. 汽车电子：适用于车载电源系统、车载娱乐设备、LED车灯控制等场景，满足汽车电子对可靠性和耐环境能力的要求。 该器件采用小型封装，适合高密度PCB布局，广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备及汽车电子等领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4965DY-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 450mV @ 250µA （最小） |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 55nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 21 毫欧 @ 8A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 8V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | - |
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