Datasheet下载- 型号： NVMFD5485NLT3G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NVMFD5485NLT3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVMFD5485NLT3G价格参考。ON SemiconductorNVMFD5485NLT3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NVMFD5485NLT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NVMFD5485NLT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的NVMFD5485NLT3G是一款MOSFET阵列产品，属于N沟道增强型功率MOSFET，采用双芯片封装（通常为双N通道配置），适用于高效率、低电压开关应用。该器件主要应用于便携式电子设备和电池供电系统中。 典型应用场景包括：智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理与负载开关，用于控制不同功能模块的供电通断，以降低待机功耗；在DC-DC转换器中作为同步整流开关，提高转换效率；还可用于电机驱动电路、LED背光驱动及热插拔电源控制等场合。其低导通电阻（RDS(on)）和小尺寸封装（如TDFN）有助于减小电路板空间并提升整体能效。 此外，NVMFD5485NLT3G符合AEC-Q101车规认证，因此也适用于汽车电子系统，例如车载信息娱乐系统、车身控制模块和小型电机控制单元，在严苛环境下仍保持稳定性能。器件集成的ESD保护和优化的栅极设计增强了可靠性和抗干扰能力。 综上，该型号广泛应用于消费电子、移动设备、汽车电子及工业控制领域，特别适合对空间、功耗和可靠性要求较高的中低功率开关场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 20A DFN8 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NVMFD5485NLT3G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 560pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 44 毫欧 @ 15A， 10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 2.9W |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 5,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.3A |
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