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产品简介:
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NVTJD4001NT1G 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品。该型号属于双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种电子电路设计。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理: NVTJD4001NT1G 适合用于 DC-DC 转换器、负载开关和电源管理模块中。其低导通电阻特性可以减少功率损耗,提高效率,特别适合便携式设备和电池供电系统。 2. 电机驱动: 在小型电机控制应用中,这款 MOSFET 阵列可用于 H 桥或半桥驱动电路,实现对直流电机的正转、反转和调速控制。 3. 信号切换: 由于其快速开关性能,该器件适用于需要高频信号切换的场景,例如音频信号切换、数据通信线路切换等。 4. 负载保护: 在电子设备中,可以用作过流保护或短路保护电路中的关键元件,确保系统在异常情况下能够安全运行。 5. 消费类电子产品: 广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式设备中的电源管理和信号处理部分。 6. 工业自动化: 可用于工业控制中的传感器接口、继电器替代以及各种开关电路,以实现高效且可靠的信号传输和控制。 7. 汽车电子: 在车载电子系统中,如车窗升降控制器、座椅调节器等,该 MOSFET 阵列可提供稳定的开关功能。 总之,NVTJD4001NT1G 凭借其优异的电气特性和紧凑封装形式,在需要高性能、小体积解决方案的领域有着广泛的应用前景。选择此型号时需根据具体电路要求匹配合适的驱动电压和散热设计,以确保最佳性能表现。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 250MA SC-88 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | NVTJD4001NT1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 33pF @ 5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.3nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.5 欧姆 @ 10mA,4V |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 功率-最大值 | 272mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 250mA |