Datasheet下载- 型号： SI3948DV-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3948DV-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3948DV-T1-E3价格参考。VishaySI3948DV-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI3948DV-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI3948DV-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI3948DV-T1-E3 是一款双通道 N 沫 FET 阵列，属于晶体管 - FET、MOSFET - 阵列类别。该器件集成了两个独立的 N 沫 MOSFET，在单一封装中提供高效率和紧凑的设计，适用于多种电子应用。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - 负载开关：SI3948DV-T1-E3 可用于控制电源路径，实现高效负载切换。其低导通电阻（Rds(on)）特性可减少功率损耗，适合便携式设备和电池供电系统。 - DC-DC 转换器：在降压或升压转换器中，该器件可用作同步整流器或开关元件，提高转换效率并降低热损耗。 2. 信号切换 - 多路复用/解复用：由于其双通道设计，SI3948DV-T1-E3 可用于多路信号切换，例如音频、视频或数据信号的路由选择。 - I/O 扩展：在需要多个输入输出端口的应用中，该器件可以实现高效的信号隔离与切换。 3. 电机驱动 - 小型电机控制：可用于驱动小型直流电机或步进电机，通过 PWM 控制实现速度调节和方向切换。 - H 桥电路：作为 H 桥的一部分，用于双向电机驱动和精确控制。 4. 保护电路 - 过流保护：利用其快速开关特性和低导通电阻，SI3948DV-T1-E3 可以在过流情况下迅速切断电流路径，保护下游电路。 - 反向电压保护：防止电池极性接反或其他异常情况对系统造成损害。 5. 消费类电子产品 - 智能手机和平板电脑：用于电源管理和信号切换，支持设备的高性能运行和节能需求。 - USB-C 和 PD 控制：在 USB-C 和 Power Delivery 系统中，该器件可用于动态调整电源路径和保护电路。 6. 工业应用 - 传感器接口：在工业自动化领域，用于传感器信号的切换和放大。 - 通信模块：在无线通信模块中，用于射频信号的切换和功率控制。 总结 SI3948DV-T1-E3 凭借其双通道设计、低导通电阻和高可靠性，广泛应用于电源管理、信号切换、电机驱动、保护电路以及消费类和工业电子产品中。其紧凑的封装形式（如 SOIC 或 DFN）使其特别适合空间受限的设计环境，同时满足高性能和低功耗的需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 6-TSOP |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI3948DV-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA （最小） |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.2nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 105 毫欧 @ 2.5A，10V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | SI3948DV-T1-E3DKR |
| 功率-最大值 | 1.15W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | - |
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