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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BSS8402DW-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSS8402DW-7价格参考。Diodes Inc.BSS8402DW-7封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BSS8402DW-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSS8402DW-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为BSS8402DW-7的场效应晶体管(MOSFET),由Diodes Incorporated生产,属于晶体管 - FET,MOSFET - 阵列类别。该器件是一款双N沟道增强型MOSFET,采用TSSOP封装,适用于需要高效、低电压操作的应用场合。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理电路:用于DC-DC转换器、负载开关和电源分配系统中,实现高效的电能控制。 2. 电池供电设备:如便携式电子产品、笔记本电脑、移动电源等,因其低导通电阻和小封装适合对空间与功耗敏感的设计。 3. 电机驱动与继电器替代:在小型电机控制或固态继电器中作为开关元件使用。 4. 工业自动化与控制系统:用于PLC模块、传感器接口和执行器控制电路中。 5. 通信设备:在路由器、交换机等网络设备中用于电源管理和信号切换。 综上,BSS8402DW-7凭借其集成双MOSFET结构、小尺寸封装及良好的电气性能,广泛应用于消费电子、工业控制及通信领域中的功率开关和管理场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6 |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | N 和 P 沟道 |
品牌 | Diodes Incorporated |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | BSS8402DW-7 |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7.5 欧姆 @ 50mA,5V |
供应商器件封装 | SOT-363 |
其它名称 | BSS8402DW7 |
功率-最大值 | 200mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 60V,50V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 115mA,130mA |