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Datasheet下载- 型号： SI7236DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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SI7236DP-T1-GE3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7236DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7236DP-T1-GE3价格参考。VishaySI7236DP-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 20V 60A 46W 表面贴装 PowerPAK® SO-8 Dual。您可以下载SI7236DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7236DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7236DP-T1-GE3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列，具有低导通电阻和高切换效率的特点。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：该器件适用于 DC-DC 转换器、负载开关和电压调节模块（VRM）等电源管理系统中，能够高效地控制电流流动并减少功率损耗。 2. 电池保护与充电电路：在便携式设备如智能手机、平板电脑及笔记本电脑的电池保护和充电电路中，SI7236DP-T1-GE3 可用于防止过流、短路以及反向放电等问题，同时支持快速充电功能。 3. 电机驱动：用于小型直流电机或步进电机驱动电路中的高低侧开关，提供精确的电流控制以实现平稳运行。 4. 固态继电器：作为固态继电器的一部分，可以替代传统机械继电器，具备更长寿命和更高可靠性。 5. 数据通信设备：在网络路由器、交换机和其他通信基础设施中用作信号路径上的开关元件，确保稳定的数据传输性能。 6. 消费电子类产品：广泛应用于各种消费电子产品，例如电视、音响系统等内部的功率转换和信号处理部分。 由于其紧凑的封装形式（TSOP-6）和优异的电气特性，这款 MOSFET 阵列非常适合需要节省空间且追求高性能表现的设计项目。此外，它还符合 RoHS 标准，适合环保要求严格的现代电子产品制造需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 60A PPAK SO-8MOSFET 20V 60A 46W 5.2mohm @ 4.5V |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 20.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 20.7 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7236DP-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7236DP-T1-GE3SI7236DP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 3.5 W |
| Pd-功率耗散 | 3.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5.2 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5.2 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 100 ns, 15 ns |
| 下降时间 | 22 ns, 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4000pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 105nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.2 毫欧 @ 20.7A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 Dual |
| 其它名称 | SI7236DP-T1-GE3TR |
| 典型关闭延迟时间 | 80 ns, 60 ns |
| 功率-最大值 | 46W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 双 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 60A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SI7236DP-GE3 |
