Datasheet下载- 型号： DMC3018LSD-13
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMC3018LSD-13由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMC3018LSD-13价格参考。Diodes Inc.DMC3018LSD-13封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DMC3018LSD-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMC3018LSD-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DMC3018LSD-13 是由 Diodes Incorporated 生产的一款晶体管 - FET，MOSFET - 阵列型号。该器件具有以下应用场景： 1. 电源管理 - DMC3018LSD-13 适用于各种电源管理电路，例如 DC-DC 转换器、电压调节模块（VRM）和负载开关。 - 在电池供电设备中，它可以用作高效的开关元件，控制电流流向以实现节能。 2. 电机驱动 - 该 MOSFET 阵列可用于小型直流电机的驱动电路，支持正转、反转以及速度控制。 - 其低导通电阻特性有助于减少功率损耗，提高电机效率。 3. 信号切换 - 在多路复用器或信号切换电路中，DMC3018LSD-13 可用于选择不同的输入信号路径。 - 它适合需要快速切换和低功耗的应用场景，如音频切换或数据通道选择。 4. 消费电子设备 - 该器件广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式设备中的电源管理和保护电路。 - 在 USB 接口保护电路中，它可以防止过流和短路，同时提供稳定的电流传输。 5. 工业自动化 - 在工业控制系统中，DMC3018LSD-13 可用于传感器接口、继电器驱动和信号隔离等场合。 - 其紧凑的封装形式（如 SOP 封装）使其非常适合空间受限的工业设计。 6. 汽车电子 - 在汽车电子领域，该 MOSFET 阵列可用于车内照明控制、风扇电机驱动和车载信息娱乐系统的电源管理。 - 其高可靠性和耐高温性能满足汽车环境的严格要求。 7. 通信设备 - 在通信基站、路由器和调制解调器中，DMC3018LSD-13 可用于电源分配网络和信号切换功能。 - 它能够承受高频信号切换带来的压力，确保通信设备的稳定运行。 总之，DMC3018LSD-13 凭借其高性能、低功耗和可靠性，适用于多种电子设备和系统中，特别是在需要高效电源管理和信号切换的应用场景中表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 30V 9.1A/6A 8-SOICMOSFET CMPLMNTRY PR ENHCMNT |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 9.1 A |
| Id-连续漏极电流 | 9.1 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMC3018LSD-13- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMC3018LSD-13 |
| PCN其它 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 5.9 nC, 7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 5.9 nC, 7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 20 mOhms at N Channel, 45 mOhms at P Channel |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 20 mOhms, 45 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 631pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12.4nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 20 毫欧 @ 6.9A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOP-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 正向跨导-最小值 | 10 S, 8.2 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.1A，6A |
| 系列 | DMC3018LSD |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Complementary |
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