Datasheet下载- 型号： SI4914BDY-T1-E3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4914BDY-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4914BDY-T1-E3价格参考。VishaySI4914BDY-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4914BDY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4914BDY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4914BDY-T1-E3 是一款双N沟道增强型MOSFET阵列器件，常用于需要高效开关和功率控制的应用场景。该器件采用小型封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于空间受限但要求高性能的设计。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、负载开关和电源分配系统，实现高效的能量传输与管理。 2. 电机控制：在小型电机驱动电路中作为开关元件，适用于无人机、机器人和电动工具等设备。 3. 电池供电设备：如笔记本电脑、平板电脑和便携式医疗设备中，用于电源切换和负载隔离。 4. 汽车电子：用于车载电源系统、LED照明控制和传感器模块中的开关控制。 5. 工业自动化：在PLC（可编程逻辑控制器）和工业电机控制模块中实现高频率开关操作。 该MOSFET阵列因其集成度高、封装紧凑，适合高密度PCB布局，广泛应用于中小型功率电子系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 个 N 通道（半桥） |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4914BDY-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | LITTLE FOOT® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.7V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 21 毫欧 @ 8A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率-最大值 | 2.7W，3.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8.4A，8A |
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