Datasheet下载- 型号： US6K4TR
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供US6K4TR由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 US6K4TR价格参考￥1.67-￥4.43。ROHM SemiconductorUS6K4TR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载US6K4TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有US6K4TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
US6K4TR 是由罗姆半导体（Rohm Semiconductor）生产的一款MOSFET阵列器件，常用于需要高效开关和功率控制的电子电路中。其应用场景主要包括以下几个方面： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、电源开关和负载管理，尤其在便携式设备和电池供电系统中，能有效提升能效并减小电路体积。 2. 电机驱动：可用于小型电机或步进电机的驱动电路，适用于打印机、扫描仪、机器人等消费类或工业类设备。 3. LED背光与照明控制：在LED驱动电路中作为开关元件，用于调节亮度或实现PWM调光功能，常见于显示器、车载照明等应用。 4. 信号切换与逻辑电路：由于其具备多个MOSFET单元，可应用于多路信号切换、逻辑电平转换或缓冲电路中。 5. 保护电路：可用于过流保护、电压反接保护等场合，提高系统的稳定性和可靠性。 该器件采用小型封装，适合高密度PCB布局，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 20V, 1.5A |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.5 A |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor US6K4TR- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | US6K4TR |
| Pd-PowerDissipation | 1 W |
| Pd-功率耗散 | 1 W |
| Qg-GateCharge | 1.8 nC |
| Qg-栅极电荷 | 1.8 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 130 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 130 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1 V |
| 上升时间 | 5 ns |
| 下降时间 | 3 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 110pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 180 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TUMT6 |
| 其它名称 | US6K4CT |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 130 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-SMD，扁平引线 |
| 封装/箱体 | TUMT-6 |
| 工具箱 | /product-detail/zh/846-1001-KIT/846-1001-KIT-ND/2277302 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 1.6 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 1.5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.5A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
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