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Datasheet下载- 型号： 2N5551TF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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2N5551TF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N5551TF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N5551TF价格参考。Fairchild Semiconductor2N5551TF封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， Bipolar (BJT) Transistor NPN 160V 600mA 100MHz 625mW Through Hole TO-92-3。您可以下载2N5551TF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N5551TF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor生产的2N5551TF是一款NPN型双极结型晶体管（BJT），属于通用放大和开关应用的中高压晶体管。其主要应用场景包括： 1. 模拟信号放大：2N5551TF具有较高的增益和频率响应，常用于音频放大器、前置放大电路及小信号放大场合，适合处理低电平模拟信号。 2. 电压放大级：由于其最大集射极电压（VCEO）可达180V，适用于中高电压放大电路，如视频放大器、脉冲放大电路等，广泛用于电视、显示器和工业控制设备中。 3. 开关电路：可作为高速开关元件，用于驱动继电器、LED、小型指示灯或逻辑接口电路，在电源管理与数字控制中发挥通断功能。 4. 逆变器与电源电路：在DC-DC转换器、开关电源（SMPS）中作为控制级晶体管，配合其他器件实现电压调节与功率控制。 5. 消费电子与工业设备：常见于家用电器、通信设备、测量仪器等对可靠性要求较高的场景，得益于ON Semiconductor稳定的制造工艺和良好的温度适应性。 6. 替代与兼容设计：作为2N5551的增强版本，TF后缀通常表示卷带包装，适用于自动化贴片生产，便于大规模电子产品制造。 综上，2N5551TF凭借高耐压、良好线性放大特性和稳定性，广泛应用于需要小信号放大或中高压开关功能的电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS NPN 160V 0.6A TO-92两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor 2N5551TF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2N5551TF |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 200mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 10mA，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 其它名称 | 2N5551TFDKR |
| 功率-最大值 | 625mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 240 mg |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 封装/箱体 | TO-92-3 Kinked Lead |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 625 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.6 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 160V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 600mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 250 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
| 系列 | 2N5551 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 160 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 180 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.2 V |
| 集电极连续电流 | 0.6 A |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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