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  • 型号: 2N5551TF
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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2N5551TF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2N5551TF由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N5551TF价格参考。Fairchild Semiconductor2N5551TF封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, Bipolar (BJT) Transistor NPN 160V 600mA 100MHz 625mW Through Hole TO-92-3。您可以下载2N5551TF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2N5551TF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS NPN 160V 0.6A TO-92两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor 2N5551TF-

数据手册

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产品型号

2N5551TF

PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

200mV @ 5mA,50mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

80 @ 10mA,5V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

TO-92-3

其它名称

2N5551TFDKR

功率-最大值

625mW

包装

Digi-Reel®

单位重量

240 mg

发射极-基极电压VEBO

6 V

商标

Fairchild Semiconductor

增益带宽产品fT

300 MHz

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Reel

封装/外壳

TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线

封装/箱体

TO-92-3 Kinked Lead

工厂包装数量

2000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

625 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.6 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

160V

电流-集电极(Ic)(最大值)

600mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

250

直流集电极/BaseGainhfeMin

80

系列

2N5551

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

160 V

集电极—基极电压VCBO

180 V

集电极—射极饱和电压

0.2 V

集电极连续电流

0.6 A

频率-跃迁

100MHz

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