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Datasheet下载- 型号： MJE200STU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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MJE200STU产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MJE200STU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJE200STU价格参考。Fairchild SemiconductorMJE200STU封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 25V 5A 65MHz 15W 通孔 TO-126。您可以下载MJE200STU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MJE200STU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MJE200STU 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款PNP型双极结型晶体管（BJT），常用于中功率放大和开关应用。其主要应用场景包括： 1. 音频放大器：该晶体管适用于音频功率放大电路中的驱动级或输出级，具有良好的线性特性，有助于减少信号失真。 2. 电源管理电路：MJE200STU可用于稳压电源或DC-DC转换器中的开关元件，其较高的电流承载能力和耐压性能适合中等功率场合。 3. 马达驱动与继电器控制：作为开关元件，该晶体管可驱动小型电机、继电器或其他感性负载，广泛应用于工业控制和家电设备中。 4. 通用逻辑电路与接口电路：在需要电平转换或信号放大的数字电路中，MJE200STU也可用于实现逻辑驱动与隔离功能。 5. 汽车电子系统：由于ON Semiconductor的器件通常具有较高的可靠性和温度适应性，该晶体管也适用于汽车电子中的灯光控制、风扇驱动等场景。 该晶体管采用SOT-223封装，具备良好的散热性能，适合表面贴装工艺，广泛应用于消费电子、工业控制及汽车电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 25V 5A TO-126两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor MJE200STU- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MJE200STU |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1.8V @ 1A，5A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 45 @ 2A，1V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-126 |
| 功率-最大值 | 15W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 761 mg |
| 发射极-基极电压VEBO | 8 V |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 65 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-225AA，TO-126-3 |
| 封装/箱体 | TO-126 |
| 工厂包装数量 | 60 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 15 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 5 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 60 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 25V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 5A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 直流电流增益hFE最大值 | 180 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 45 |
| 系列 | MJE200 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 25 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 40 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.8 V |
| 集电极连续电流 | 5 A |
| 零件号别名 | MJE200STU_NL |
| 频率-跃迁 | 65MHz |
