Datasheet下载- 型号： DSS20201L-7
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DSS20201L-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DSS20201L-7价格参考￥0.49-￥0.64。Diodes Inc.DSS20201L-7封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DSS20201L-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DSS20201L-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DSS20201L-7 是由 Diodes Incorporated 生产的一款双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类型。该型号的应用场景主要包括以下方面： 1. 开关应用： DSS20201L-7 可用于各种开关电路中，例如电源管理、信号切换和负载控制等。其低饱和电压和高增益特性使其非常适合需要高效开关操作的场合。 2. 信号放大： 由于其优良的电流增益性能（hFE），该晶体管适用于音频放大器、传感器信号放大和其他小信号放大的应用场景。 3. 电机驱动： 在小型直流电机驱动中，DSS20201L-7 可用作驱动级晶体管，实现对电机的启动、停止和速度控制。 4. 电源管理： 该晶体管可以用于线性稳压器或电池充电电路中，作为调节元件来稳定输出电压或电流。 5. 保护电路： 在过流保护、短路保护和热保护电路中，DSS20201L-7 可以充当关键的控制或检测元件。 6. 消费电子设备： 该型号广泛应用于手机充电器、家用电器、玩具和其他便携式电子产品中，提供高效的功率转换和信号处理功能。 7. 工业自动化： 在工业控制领域，DSS20201L-7 可用于继电器驱动、光电耦合器接口以及传感器信号处理等场合。 总之，DSS20201L-7 凭借其出色的电气特性和可靠性，适合于多种低功耗和中等功率的电子应用，尤其在需要高效开关和信号放大的场景中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS BIPO NPN 20V 2A SOT-23两极晶体管 - BJT LOW VCE(SAT) NPN SMT |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated DSS20201L-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DSS20201L-7 |
| PCN其它 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 100mV @ 200mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 500mA，2V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | DSS20201L7 |
| 功率-最大值 | 600mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 150 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 600 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 2 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 20V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 200 at 10 mA at 2 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 at 10 mA at 2 V, 200 at 500 mA at 2 V, 200 at 1 A at 2 V, 200 at 2 A at 2 V |
| 系列 | DSS20201 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 20 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 20 V |
| 频率-跃迁 | 150MHz |
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