ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 > NGTB30N120LWG
Datasheet下载- 型号： NGTB30N120LWG
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NGTB30N120LWG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NGTB30N120LWG价格参考。ON SemiconductorNGTB30N120LWG封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT Trench Field Stop 1200V 60A 560W Through Hole TO-247。您可以下载NGTB30N120LWG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NGTB30N120LWG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的NGTB30N120LWG是一款单通道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于超低导通电阻（UGBT）系列。其主要应用场景包括但不限于以下几种： 1. 电源管理： - 该MOSFET适用于各种电源转换和管理系统，如开关电源（SMPS）、直流-直流（DC-DC）转换器、逆变器等。其低导通电阻特性有助于提高效率，减少能量损耗。 2. 电机驱动： - 在电动工具、家电、工业自动化等领域中，NGTB30N120LWG可用于驱动小型到中型电机。它能够承受高电流和高电压，确保电机运行稳定可靠。 3. 电池管理系统（BMS）： - 在电动汽车（EV）、混合动力汽车（HEV）以及便携式电子设备中，这款MOSFET可以用于电池充放电控制，保护电路免受过流、过压等异常情况的影响。 4. 不间断电源（UPS）： - NGTB30N120LWG在UPS系统中扮演着重要角色，能够在市电中断时迅速切换到备用电源，保证关键设备的持续供电。 5. 光伏逆变器： - 太阳能光伏发电系统中的逆变器需要高效可靠的功率器件，NGTB30N120LWG凭借其出色的性能，能够满足这一需求，帮助实现高效的电能转换。 6. 通信基站： - 在通信基础设施建设中，如基站电源模块，该MOSFET可提供稳定的电力支持，确保通信系统的正常运作。 7. 消费类电子产品： - 包括笔记本电脑适配器、智能手机快充头等产品，都可以利用这款MOSFET来提升充电速度并降低发热。 总之，NGTB30N120LWG以其优异的电气特性和可靠性，广泛应用于各类电力电子设备中，尤其适合对效率和散热有较高要求的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 136ns/360ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 240A |
| 描述 | IGBT 1200V 30A TO247IGBT 晶体管 1200V/30A FS1 IGBT |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 420nC |
| IGBT类型 | 沟道和场截止 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,ON Semiconductor NGTB30N120LWG- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NGTB30N120LWG |
| SwitchingEnergy | 4.4mJ （开）， 1mJ （关） |
| TestCondition | 600V, 30A, 10 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.2V @ 15V，30A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 560W |
| 功率耗散 | 560 W |
| 包装 | * |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 在25C的连续集电极电流 | 60 A |
| 安装类型 | * |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | * |
| 封装/箱体 | TO-247 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 1200V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 60A |
| 系列 | NGTB30N120L |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.75 V |
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