【未分类_BSP19AT1G】封装/厂家_BSP19AT1G中文资料_价格

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型号： BSP19AT1G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BSP19AT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSP19AT1G价格参考。ON SemiconductorBSP19AT1G封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BSP19AT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSP19AT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BSP19AT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类型。其主要应用场景包括：

1. 开关应用：  
   BSP19AT1G 可用作电子开关，适用于需要高速切换的场景，例如继电器驱动、LED 驱动或小型电机控制。其低饱和电压和高增益特性使其在这些应用中表现出色。

2. 信号放大：  
   该晶体管适合用于音频信号放大器或其他低功率信号放大的场合。由于其具备良好的电流增益（hFE），能够有效放大微弱信号以满足后续电路的需求。

3. 电源管理：  
   在一些简单的电源管理电路中，如线性稳压器或电池保护电路，BSP19AT1G 可作为关键组件来调节输出电压或电流。

4. 通信设备：  
   BSP19AT1G 的高频特性使其适用于某些通信领域的低功率射频（RF）放大或调制解调电路。

5. 消费类电子产品：  
   包括遥控器、玩具、家用电器等小型设备中的控制和驱动功能。例如，用于驱动蜂鸣器、小型风扇或传感器接口。

6. 工业控制：  
   在工业自动化领域，该晶体管可用于实现简单逻辑控制、信号隔离或小功率负载驱动。

需要注意的是，在具体应用中应根据 BSP19AT1G 的电气参数（如最大集电极电流、最大功耗、工作频率范围等）合理设计电路，并确保其工作条件在规格书范围内以保证稳定性和可靠性。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	TRANS NPN 100MA 350V SOT223两极晶体管 - BJT 1A 400V NPN
产品分类	晶体管(BJT) - 单路分离式半导体
品牌	ON Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BSP19AT1G-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	BSP19AT1G
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	500mV @ 4mA，50mA
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	40 @ 20mA，10V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	两极晶体管 - BJT
供应商器件封装	SOT-223
其它名称	BSP19AT1GOSTR
功率-最大值	800mW
包装	带卷（TR）
发射极-基极电压VEBO	5 V
商标	ON Semiconductor
增益带宽产品fT	70 MHz
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-261-4，TO-261AA
封装/箱体	SOT-223-4
工厂包装数量	1000
晶体管极性	NPN
晶体管类型	NPN
最大功率耗散	0.8 W
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	100 mA
最小工作温度	- 65 C
标准包装	1,000
电压-集射极击穿（最大值）	350V
电流-集电极(Ic)（最大值）	100mA
电流-集电极截止（最大值）	-
直流集电极/BaseGainhfeMin	40
系列	BSP19A
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	350 V
集电极—基极电压VCBO	400 V
集电极—射极饱和电压	0.5 V
集电极连续电流	100 mA
频率-跃迁	70MHz

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