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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MJE15029由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJE15029价格参考。ON SemiconductorMJE15029封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MJE15029参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MJE15029 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MJE15029是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款双极型晶体管(BJT),属于NPN型高频功率晶体管。该器件广泛应用于需要高频率和中等功率处理能力的电路设计中。 其主要应用场景包括: 1. 射频(RF)放大器:MJE15029具有良好的高频特性,适合用于VHF/UHF频段的射频信号放大,常见于无线通信设备、广播发射机和接收机前端电路中。 2. 功率放大器:在音频或射频功率放大电路中作为驱动级或输出级使用,适用于音响系统、工业控制设备及低功耗发射装置。 3. 开关电路:由于其具备较快的开关响应速度,可应用于高频开关电源、马达控制以及各类数字逻辑驱动电路中。 4. 通用电子设备:用于各类需进行信号放大的电子系统中,如传感器接口电路、仪表测量设备、测试仪器等。 综上,MJE15029因其高频性能和可靠性,在通信、消费电子、工业控制等领域均有广泛应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PWR PNP 8A 120V TO220AB |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MJE15029 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 500mV @ 100mA,1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 20 @ 4A,2V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | MJE15029OS |
| 功率-最大值 | 50W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 晶体管类型 | PNP |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 120V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 8A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100µA |
| 频率-跃迁 | 30MHz |