Datasheet下载- 型号： DMJT9435-13
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMJT9435-13由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMJT9435-13价格参考。Diodes Inc.DMJT9435-13封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DMJT9435-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMJT9435-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DMJT9435-13 是由 Diodes Incorporated 生产的一款双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类型。其主要应用场景包括： 1. 开关应用： DMJT9435-13 可用于各种开关电路中，例如继电器驱动、LED 驱动和小型电机控制等。通过调节基极电流，可以实现对负载的开/关控制。 2. 信号放大： 该晶体管适用于低噪声、高增益的信号放大场景，例如音频前置放大器、传感器信号放大以及射频（RF）信号的小信号放大。 3. 电源管理： 在一些简单的电源管理电路中，DMJT9435-13 可用作电流调节器或电压调节器的一部分，帮助稳定输出电压或电流。 4. 脉宽调制 (PWM) 控制： 在 PWM 应用中，该晶体管可以用作功率级开关，控制负载的占空比，从而实现亮度调节（如 LED 调光）或速度控制（如小型直流电机调速）。 5. 保护电路： DMJT9435-13 可用于过流保护、短路保护等电路设计中，通过检测异常电流并切断电路来保护系统。 6. 通信设备： 在某些低功率通信设备中，该晶体管可用于信号调制和解调电路，支持基本的无线通信功能。 由于 DMJT9435-13 具有良好的增益特性、较低的饱和电压和较高的可靠性，它非常适合需要高性能和稳定性的消费电子、工业控制和汽车电子领域中的多种应用。在具体设计时，需根据其电气参数（如集电极-发射极电压、最大电流和功耗等）进行合理选型和使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS BIPO PNP 30V 3A SOT-223两极晶体管 - BJT LOW VSAT PNP SMT |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated DMJT9435-13- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMJT9435-13 |
| PCN其它 | |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 550mV @ 300mA，3A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 110 @ 1.2A，1V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | DMJT9435DICT |
| 其它图纸 |
|
| 功率-最大值 | 1.2W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 160 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 2000 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 2 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 30V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 3A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 125 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 125 at 0.8 A at 1 V, 110 at 1.2 A at 1 V, 90 at 3 A at 1 V |
| 系列 | DMJT9435 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 30 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 45 V |
| 频率-跃迁 | 160MHz |
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