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产品简介:
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NSVMMBT5401LT3G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类型。该型号的具体应用场景如下: 1. 音频放大器 - NSVMMBT5401LT3G 可用于低功率音频放大电路中,作为前置放大器或驱动级晶体管。其小信号特性使其适合处理音频信号的增益和失真控制。 2. 开关电路 - 在数字电路中,该晶体管可以用作开关元件。例如,在继电器驱动、LED 驱动或小型电机控制等场景中,它能够实现高效的开关功能。 3. 信号放大 - 适用于需要对微弱信号进行放大的场合,如传感器信号放大、射频(RF)信号预放大等。其高增益特性有助于提高信号强度。 4. 电源管理 - 在一些简单的电源管理应用中,例如线性稳压器中的调整管或保护电路中的限流元件,NSVMMBT5401LT3G 可以发挥重要作用。 5. 通信设备 - 由于其良好的高频性能,该晶体管可用于通信设备中的调制解调电路、混频器或振荡器设计。 6. 消费电子产品 - 常见于遥控器、玩具、家用电器等低功耗产品中,用作信号处理或控制元件。 特性优势: - 高增益:适合需要较高电流放大倍数的应用。 - 低噪声:在音频和射频应用中表现优异。 - 紧凑封装:SOT-23 封装使其适合空间受限的设计。 综上所述,NSVMMBT5401LT3G 广泛应用于低功率电子设备中,特别是在信号放大、开关控制和音频处理等领域具有显著优势。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS PNP 150V SOT23 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NSVMMBT5401LT3G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 500mV @ 5mA,50mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 60 @ 10mA,5V |
供应商器件封装 | * |
功率-最大值 | 225mW |
包装 | * |
安装类型 | * |
封装/外壳 | * |
晶体管类型 | PNP |
标准包装 | 10,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 150V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 500mA |
电流-集电极截止(最大值) | 50nA (ICBO) |
频率-跃迁 | 300MHz |