【未分类_2N6341G】封装/厂家_2N6341G中文资料_价格

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型号： 2N6341G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供2N6341G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N6341G价格参考。ON Semiconductor2N6341G封装/规格：未分类，暂无。您可以下载2N6341G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N6341G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

2N6341G是由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类别。这款器件主要应用于需要高增益和中等功率的电路设计中，其典型应用场景包括：

1. 音频放大器：2N6341G适合用于低至中等功率的音频信号放大，例如便携式音响设备、耳机放大器或小型扬声器驱动电路。

2. 开关电路：在数字逻辑电平与模拟电路之间进行转换时，该晶体管可以用作开关元件，例如继电器驱动、LED驱动或小型电机控制。

3. 信号调节：用于对微弱信号进行放大或调节，如传感器信号放大、射频（RF）前置放大器等场合。

4. 电源管理：在一些简单的线性稳压器或电流源设计中，2N6341G可以作为关键的有源元件来稳定输出电压或电流。

5. 脉冲发生器和振荡器：利用其高频特性，可以构建多谐振荡器、弛张振荡器或其他类型的波形生成电路。

由于2N6341G具有较高的电流增益（β值），它非常适合于要求高灵敏度和低噪声的应用环境。同时，它的封装形式便于焊接和安装，在实验开发及批量生产中都具备良好的可操作性。不过需要注意的是，在具体应用时要确保工作参数（如集电极电流、功耗等）不超过其额定值以保证可靠性和稳定性。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	TRANSISTOR NPN 150V 25A TO-3两极晶体管 - BJT 25A 150V 200W NPN
产品分类	晶体管(BJT) - 单路分离式半导体
品牌	ON Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2N6341G-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	2N6341G
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	1.8V @ 2.5A，25A
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	30 @ 10A，2V
产品种类	两极晶体管 - BJT
供应商器件封装	TO-3
其它名称	2N6341G-ND 2N6341GOS
功率-最大值	200W
包装	托盘
发射极-基极电压VEBO	6 V
商标	ON Semiconductor
增益带宽产品fT	40 MHz
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tray
封装/外壳	TO-204AA，TO-3
封装/箱体	TO-204-2 (TO-3)
工厂包装数量	100
晶体管极性	NPN
晶体管类型	NPN
最大功率耗散	200 W
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	25 A
最小工作温度	- 65 C
标准包装	100
电压-集射极击穿（最大值）	150V
电流-集电极(Ic)（最大值）	25A
电流-集电极截止（最大值）	50µA
直流集电极/BaseGainhfeMin	50
系列	2N6341
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	150 V
集电极—基极电压VCBO	180 V
集电极—射极饱和电压	1.8 V
集电极连续电流	25 A
频率-跃迁	40MHz

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