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  • 型号: MJE182G
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MJE182G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJE182G价格参考。ON SemiconductorMJE182G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MJE182G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MJE182G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MJE182G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 NPN 型双极性晶体管(BJT),属于单晶体管类别。其主要应用场景包括但不限于以下领域:

1. 开关应用:MJE182G 可用于各种电子电路中的开关功能,例如继电器驱动、LED 驱动和小型电机控制等。它能够在低功耗条件下实现高效的开关操作。

2. 信号放大:该晶体管适用于音频信号放大器和其他需要中等功率放大的场合。其高增益特性使其成为信号放大电路的理想选择。

3. 电源管理:在一些简单的电源管理电路中,MJE182G 可以用作电流调节或电压调节元件,帮助稳定输出电压或电流。

4. 工业控制:由于其良好的电气特性和可靠性,这款晶体管常用于工业设备中的传感器接口、逻辑电平转换以及保护电路等。

5. 消费类电子产品:MJE182G 也广泛应用于家用电器、玩具和其他消费类产品中,提供必要的电流放大或切换功能。

6. 通信设备:在某些低频通信系统中,该晶体管可用于数据传输线路的驱动或者接收端的信号增强。

7. 汽车电子:尽管 MJE182G 不是专门为汽车设计的产品,但在非关键任务的车载辅助电路中也可能找到它的身影,比如车内灯光控制或简单的声音报警装置。

总之,MJE182G 凭借其出色的性能参数和性价比,在众多需要中小型功率处理的应用场景中发挥着重要作用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS PWR NPN 3A 80V TO225AA两极晶体管 - BJT 3A 80V 12.5W NPN

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MJE182G-

数据手册

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产品型号

MJE182G

PCN组件/产地

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

1.7V @ 600mA,3A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

50 @ 100mA,1V

产品目录页面

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

TO-225AA

其它名称

MJE182GOS

功率-最大值

1.5W

包装

散装

发射极-基极电压VEBO

7 V

商标

ON Semiconductor

增益带宽产品fT

50 MHz

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Bulk

封装/外壳

TO-225AA,TO-126-3

封装/箱体

TO-225-3

工厂包装数量

500

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

1.5 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

3 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

500

电压-集射极击穿(最大值)

80V

电流-集电极(Ic)(最大值)

3A

电流-集电极截止(最大值)

-

直流集电极/BaseGainhfeMin

50

系列

MJE182

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

80 V

集电极—基极电压VCBO

100 V

集电极—射极饱和电压

1.7 V

集电极连续电流

3 A

频率-跃迁

50MHz

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