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  • 型号: 2SB1186AE
  • 制造商: ROHM Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2SB1186AE由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SB1186AE价格参考。ROHM Semiconductor2SB1186AE封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SB1186AE参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SB1186AE 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Rohm Semiconductor(罗姆半导体)生产的2SB1186AE是一款双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类型。该型号主要应用于高频、高增益和中等功率的场景,以下是其典型应用场景:

 1. 射频(RF)放大器
   - 2SB1186AE具有较高的频率响应特性,适合用于射频信号的放大。例如,在无线通信设备、对讲机或广播系统中,可以用作低噪声放大器(LNA)或驱动级放大器。

 2. 音频前置放大器
   - 在音频设备中,该晶体管可用作前置放大器的核心元件。由于其高增益特性,能够有效地放大微弱的输入信号,同时保持较低的失真。

 3. 工业控制中的信号调理
   - 在工业自动化领域,2SB1186AE可用于信号调理电路,例如将传感器输出的小信号放大到适合后续处理的电平范围。

 4. 无线模块与通信设备
   - 该晶体管适用于无线模块中的功率放大器或缓冲器,特别是在需要中等功率输出的场合,如远程控制、数据传输模块等。

 5. 测试与测量设备
   - 在示波器、频谱分析仪或其他精密测量仪器中,2SB1186AE可以作为信号放大部分的关键元件,提供稳定的增益和低噪声性能。

 6. 医疗电子设备
   - 在医疗领域,如心电图(ECG)或超声波设备中,该晶体管可用于放大生物电信号,确保信号的准确性和可靠性。

 7. 开关电路中的应用
   - 虽然2SB1186AE主要用于线性放大,但在某些低速开关应用中,也可以用作简单的开关元件,例如继电器驱动或LED控制。

总结来说,2SB1186AE凭借其高频特性和高增益性能,广泛应用于需要信号放大、低噪声和稳定工作的场景,尤其在射频、音频和工业控制领域表现优异。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS DRVR PNP 160V 1.5A TO220FP

产品分类

晶体管(BJT) - 单路

品牌

Rohm Semiconductor

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

2SB1186AE

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

2V @ 100mA,1A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

60 @ 1A,5V

供应商器件封装

TO-220FP

功率-最大值

2W

包装

散装

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-3 整包

晶体管类型

PNP

标准包装

500

电压-集射极击穿(最大值)

160V

电流-集电极(Ic)(最大值)

1.5A

电流-集电极截止(最大值)

1µA (ICBO)

频率-跃迁

50MHz

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