Datasheet下载- 型号： 2SC6017-E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SC6017-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SC6017-E价格参考。ON Semiconductor2SC6017-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SC6017-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SC6017-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SC6017-E是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款NPN型双极结型晶体管（BJT），主要用于高频放大和开关应用。该晶体管具有良好的高频特性和快速响应能力，适用于需要高效、稳定性能的电子电路设计。 主要应用场景包括： 1. 射频（RF）放大器：2SC6017-E具备优良的高频特性，常用于射频信号放大电路中，如无线通信设备、广播接收器等。 2. 低噪声前置放大器：由于其低噪声特性，适用于音频和通信系统中的信号前置放大电路。 3. 高速开关电路：可应用于数字电路或脉冲电路中，作为高速开关元件使用，例如在电源管理和DC-DC转换器中。 4. 消费类电子产品：如电视机、音响设备、小型无线电装置等，用于信号处理和功率控制。 5. 工业控制与传感器电路：在工业自动化系统中，用于信号调节、驱动继电器或LED显示等。 综上，2SC6017-E是一款适用于高频、低噪声和高速开关应用的通用型晶体管，广泛应用于通信、消费电子及工业控制等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN BIPO 10A 50V TP两极晶体管 - BJT BIP NPN 10A 50V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2SC6017-E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SC6017-E |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 360mV @ 250mA，5A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 1A，2V / 30 @ 5mA，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TP |
| 功率-最大值 | 950mW |
| 包装 | 散装 |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 200 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 封装/箱体 | TO-251 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 20 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 13 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 10A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 |
| 系列 | 2SC6017 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 100 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 180 mV |
| 集电极连续电流 | 10 A |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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