ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > 2SA1162-GR,LF
Datasheet下载- 型号： 2SA1162-GR,LF
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SA1162-GR,LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SA1162-GR,LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SA1162-GR,LF封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 50V 150mA 80MHz 150mW 表面贴装 S-Mini。您可以下载2SA1162-GR,LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SA1162-GR,LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SA1162-GR,LF是东芝半导体与存储（Toshiba Semiconductor and Storage）生产的一款PNP型双极结型晶体管（BJT），属于通用放大和开关应用的小信号晶体管。该器件广泛应用于各类电子设备中，适用于需要低噪声、高增益和稳定性能的电路设计。 其典型应用场景包括：音频放大器中的前置放大级或驱动级，用于提升信号强度并保持良好音质；在电源管理电路中作为线性稳压器的调整元件或负载开关，实现对电流的精确控制；在消费类电子产品如电视、音响、家用电器的控制板中，用于信号切换和小功率驱动；也可用于通信设备中的模拟信号处理模块，如滤波、调制解调等环节。 此外，2SA1162-GR,LF采用小型封装（如SOT-23或类似），适合高密度贴装的印刷电路板，具备良好的高频响应和温度稳定性，适用于工业控制、办公自动化设备及便携式电子装置中的低功耗模拟与数字开关电路。因其符合RoHS标准，具有环保特性，适用于现代绿色电子产品设计。总体而言，该晶体管是一款可靠性高、适用范围广的通用型PNP三极管。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI两极晶体管 - BJT PNP Transistor -50V S-Mini -0.15A -0.3V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | http://www.toshiba.com/taec/Catalog/Product.do?productid=1371632&lineid=50&subfamilyid=1935055&familyid=1912643 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Toshiba 2SA1162-GR,LF- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=2SA1162 |
| 产品型号 | 2SA1162-GR,LF2SA1162-GR,LF |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 10mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 2mA，6V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | S-Mini |
| 其它名称 | 2SA1162-GRLFCT |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | Toshiba |
| 增益带宽产品fT | 80 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SC-59-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 150 mW |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最大直流电集电极电流 | 150 mA |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 150mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 直流电流增益hFE最大值 | 400 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 70 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 50 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.1 V |
| 频率-跃迁 | 80MHz |
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