首页 > TIP42C > 详情
Datasheet下载- 型号： TIP42C
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品参数
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR PNP 100V 6A TO-220两极晶体管 - BJT PNP Gen Pur Power |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | 点击此处下载产品Datasheet |
| 产品图片 |   |
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,STMicroelectronics TIP42C- |
| 数据手册 | 点击此处下载产品Datasheet |
| 产品型号 | TIP42C |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1.5V @ 600mA，6A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 15 @ 3A，4V |
| 产品目录页面 | 点击此处下载产品Datasheet |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 497-2629-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL822/SC84/PF65346?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 65W |
| 包装 | 管件 |
| 发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 增益带宽产品fT | 3 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工具箱 | /product-detail/zh/Q2321478/497-8005-KIT-ND/811051 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 65 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 6 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 100V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 6A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 700µA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 75 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 15 |
| 系列 | TIP42C |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 100 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 100 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.5 V |
| 集电极连续电流 | 6 A |
| 频率-跃迁 | - |