Datasheet下载- 型号： SSM6L35FE,LM
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SSM6L35FE,LM由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSM6L35FE,LM价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.SSM6L35FE,LM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SSM6L35FE,LM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SSM6L35FE,LM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 SSM6L35FE, LM 的 Toshiba Semiconductor and Storage 品牌晶体管，属于 FET、MOSFET - 阵列 类别，是一款集成两个N沟道MOSFET的双封装器件，广泛应用于需要高效、低功耗控制的电子电路中。 该器件主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、电压调节模块（VRM）中，实现高效能电能转换。 2. 负载开关：在电池供电设备中作为开关元件，控制电源通断，降低待机功耗。 3. 马达驱动：适用于小型电机或步进电机的驱动电路，提供快速开关响应。 4. 信号切换：用于模拟或数字信号路径的切换控制，如音频或数据通道选择。 5. 便携设备：常见于笔记本电脑、平板、智能手机等便携电子产品中，满足小型化和低功耗需求。 6. 接口保护：作为电平转换或隔离器件，用于USB、HDMI等高速接口的保护电路中。 该MOSFET阵列具有低导通电阻、小封装尺寸、高可靠性等优点，适合高频、低电压操作环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 20V 0.1A ES6 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6L16FE |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SSM6L35FE,LM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9.3pF @ 3V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8 欧姆 @ 10mA，4V |
| 供应商器件封装 | ES6 |
| 其它名称 | SSM6L16FE(TE85LF)DKR |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100mA |
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