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Datasheet下载- 型号： SIA537EDJ-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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SIA537EDJ-T1-GE3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIA537EDJ-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIA537EDJ-T1-GE3价格参考。VishaySIA537EDJ-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 12V，20V 4.5A 7.8W 表面贴装 PowerPAK® SC-70-6 双。您可以下载SIA537EDJ-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIA537EDJ-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SIA537EDJ-T1-GE3是一款双N沟道MOSFET阵列，广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - 用于DC-DC转换器中的同步整流电路，提高效率并降低功耗。 - 在负载开关中作为电子开关，实现快速、低损耗的电流控制。 - 适用于电池管理系统（BMS），用于保护电路和电流调节。 2. 电机驱动 - 用于小型直流电机或步进电机的驱动电路，提供高效的开关性能。 - 在H桥电路中作为功率级开关，实现电机的正反转和速度控制。 3. 信号切换 - 在多路复用器或信号切换电路中，用作高性能的模拟开关。 - 实现音频、视频或其他信号路径的动态切换，具有低导通电阻和低电容特性。 4. 消费电子产品 - 应用于智能手机、平板电脑和笔记本电脑等设备中的电源管理模块。 - 用于USB充电端口的过流保护和快速充电动态调节。 5. 通信设备 - 在基站、路由器和其他通信设备中，作为电源开关或信号切换元件。 - 提供高可靠性和低电磁干扰（EMI）性能。 6. 工业自动化 - 用于可编程逻辑控制器（PLC）、传感器接口和工业电源模块。 - 在固态继电器（SSR）设计中，作为核心开关元件。 7. 汽车电子 - 用于车载电子设备中的负载开关和保护电路。 - 支持LED照明、风扇控制和电动座椅等应用。 SIA537EDJ-T1-GE3凭借其小封装尺寸（如SOIC-8）、低导通电阻（典型值为45mΩ）和高开关速度，非常适合对空间和能效要求较高的现代电子设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6LMOSFET 12V .028ohm@4.5V 4.5A N-CH |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.5 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIA537EDJ-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIA537EDJ-T1-GE3SIA537EDJ-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 7.8 W |
| Pd-功率耗散 | 7.8 W |
| Qg-GateCharge | 10.5 nC, 16.3 nC |
| Qg-栅极电荷 | 10.5 nC, 16.3 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 75 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 75 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 12 V, - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 12 V, - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1 V |
| 上升时间 | 12 ns, 15 ns |
| 下降时间 | 12 ns, 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 455pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16nC @ 8V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 28 毫欧 @ 5.2A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SC-70-6 双 |
| 其它名称 | SIA537EDJ-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns, 30 ns |
| 功率-最大值 | 7.8W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SC-70-6 双 |
| 封装/箱体 | SC-70-6 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 23 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V，20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.5A |
| 系列 | SIA537EDJ |
| 配置 | Dual |
