Datasheet下载- 型号： DMN2041LSD-13
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN2041LSD-13由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN2041LSD-13价格参考。Diodes Inc.DMN2041LSD-13封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DMN2041LSD-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN2041LSD-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMN2041LSD-13是一款双N沟道增强型MOSFET阵列，常用于需要高效开关和电源管理的电子电路中。该器件采用小尺寸封装，适合对空间要求较高的应用设计。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、负载开关和电池供电设备中的电源控制，具备低导通电阻特性，有助于提高能效。 2. 电机控制：在小型电机或步进电机驱动电路中，作为高速开关使用，适用于打印机、扫描仪等办公设备或工业控制系统。 3. 负载开关与继电器替代：用于替代机械继电器，在自动测试设备（ATE）、工业自动化系统中实现快速、可靠的电子开关功能。 4. 通信设备：在路由器、交换机等通信基础设施中，用于电源分配和信号路径控制。 5. 消费电子产品：如笔记本电脑、平板电脑、移动电源等便携设备中，用于电源管理及外设控制。 该MOSFET阵列具有良好的热稳定性和高可靠性，适合在较宽的工作温度范围内使用，广泛适用于中低功率应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 7.63A 8SOMOSFET MOSFET DUAL N-CHAN ENHANCE MODE |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7.63 A |
| Id-连续漏极电流 | 7.63 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN2041LSD-13- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMN2041LSD-13 |
| PCN其它 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.16 W |
| Pd-功率耗散 | 1.16 W |
| Qg-GateCharge | 15.6 nC |
| Qg-栅极电荷 | 15.6 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 41 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 41 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 550pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15.6nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 28 毫欧 @ 6A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | DMN2041LSD-13DICT |
| 功率-最大值 | 1.16W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.63A |
| 系列 | DMN2041L |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
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