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Datasheet下载- 型号： DMG6601LVT-7
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMG6601LVT-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMG6601LVT-7价格参考。Diodes Inc.DMG6601LVT-7封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 30V 3.8A，2.5A 850mW 表面贴装 TSOT-26。您可以下载DMG6601LVT-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMG6601LVT-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMG6601LVT-7是一款晶体管FET（场效应晶体管）MOSFET阵列，广泛应用于各种电子设备和电路设计中。这款器件具有低导通电阻、小封装尺寸以及出色的开关性能，使其在多个应用场景中表现出色。 1. 电源管理 DMG6601LVT-7常用于电源管理电路中，特别是在便携式设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中。它能够有效地控制电源的开关，实现高效的电源转换和稳压功能。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高能效，延长电池寿命。 2. 负载开关 在需要频繁切换负载的应用中，如USB端口、充电电路等，DMG6601LVT-7可以作为负载开关使用。它可以快速响应负载的变化，确保电流的稳定供应，并且在不需要供电时切断电流，防止漏电和短路。 3. 信号切换 该器件适用于信号切换电路，尤其是在多通道音频设备、视频切换器和通信设备中。它的低电容和快速开关特性使得信号传输更加清晰，减少了信号失真和延迟。 4. 保护电路 DMG6601LVT-7可用于过流保护、过温保护和反向电压保护等场合。它可以在检测到异常情况时迅速切断电路，保护下游设备免受损坏。例如，在汽车电子系统中，它可以防止电池反接或过载对敏感元件造成损害。 5. 电机驱动 在小型电机驱动应用中，如无人机、机器人和智能家居设备中的步进电机或直流电机，DMG6601LVT-7可以作为驱动电路的一部分。它能够提供足够的电流驱动电机，并且通过精确的PWM（脉宽调制）控制实现速度调节。 6. 消费电子产品 在消费电子产品中，如智能手表、可穿戴设备和其他小型化产品中，DMG6601LVT-7的小型封装和高效性能使其成为理想的选择。它可以帮助设计师在有限的空间内实现复杂的电路功能，同时保持产品的轻薄设计。 总之，DMG6601LVT-7凭借其优异的电气性能和紧凑的封装，适用于多种应用场景，特别适合对空间、功耗和可靠性有较高要求的电子设备。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 30V 26TSOTMOSFET 30V Comp ENH Mode 25 to 30V MosFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.8 A, 2.5 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMG6601LVT-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMG6601LVT-7 |
| Pd-PowerDissipation | 0.85 W |
| Pd-功率耗散 | 850 mW |
| Qg-GateCharge | 5.4 nC, 6.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 5.4 nC, 6.5 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 85 mOhms, 190 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V, 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.5 V |
| 上升时间 | 4.6 ns, 7.4 ns |
| 下降时间 | 15.6 ns, 2.2 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 422pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12.3nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 55 毫欧 @ 3.4A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TSOT-26 |
| 其它名称 | DMG6601LVT-7DIDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 31.2 ns, 18.3 ns |
| 功率-最大值 | 850mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 封装/箱体 | TSOT-26-6 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.8A，2.5A |
| 系列 | DMG6601L |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Complementary |
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