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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2N7002VC-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N7002VC-7价格参考。Diodes Inc.2N7002VC-7封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2N7002VC-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2N7002VC-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2N7002VC-7是Diodes Incorporated生产的一款N沟道MOSFET阵列器件,常用于需要高效、小尺寸功率开关的应用场景。该器件采用SOT-23封装,具有低导通电阻、快速开关速度和良好热稳定性等特点,适用于多种电子系统中的控制和电源管理功能。 典型应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统中,实现高效能电能控制。 2. 电机驱动:在小型电机或步进电机的驱动电路中作为开关元件,控制电机启停与方向。 3. LED照明:用于LED驱动电路中,调节亮度或实现PWM调光功能。 4. 工业控制:如PLC模块、传感器接口电路中,作为高速开关或信号控制元件。 5. 消费电子:在智能手机、平板电脑、智能穿戴设备等产品中用于电源切换或外设控制。 6. 通信设备:用于通信模块的电源控制、信号路由或接口保护电路中。 该器件因其集成度高、封装小巧、性能稳定,广泛应用于对空间和能效要求较高的现代电子产品中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT-563MOSFET Dual N-Channel |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | 280 mA |
Id-连续漏极电流 | 280 mA |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 过渡期间无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated 2N7002VC-7- |
数据手册 | |
产品型号 | 2N7002VC-7 |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 150 mW |
Pd-功率耗散 | 150 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 13500 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 13.5 Ohms |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7.5 欧姆 @ 50mA,5V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-563 |
典型关闭延迟时间 | 50 ns |
功率-最大值 | 150mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
封装/箱体 | SOT-563-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 280mA |
系列 | 2N7002V |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Dual |