Datasheet下载- 型号： SI4228DY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4228DY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4228DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4228DY-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4228DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4228DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SI4228DY-T1-GE3 是由 Vishay Siliconix 生产的一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列，广泛应用于需要高效开关和低功耗的场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - 负载开关：用于便携式设备（如智能手机、平板电脑）中的负载开关应用，实现对不同电路模块的供电控制。 - DC-DC 转换器：在降压或升压转换器中作为开关元件，提供高效的电压调节功能。 - 电池保护：用于锂电池管理系统中，防止过充、过放或短路等异常情况。 2. 信号切换 - 多路复用/解复用：在通信设备或多路输入/输出系统中，用于信号路径的选择和切换。 - 数据总线切换：在计算机或嵌入式系统中，用于控制数据总线的连接与断开。 3. 消费电子 - 音频设备：用于耳机放大器或音响系统的音量控制和信号切换。 - 智能家居设备：如智能灯泡、智能插座等，用于控制电源的通断。 4. 工业控制 - 电机驱动：在小型直流电机控制系统中，作为驱动开关使用。 - 继电器替代：在需要快速响应和高可靠性的场合，取代传统机械继电器。 5. 汽车电子 - 车载信息娱乐系统：用于音频切换、显示屏背光控制等功能。 - 车身控制模块：如车窗升降、座椅调节等系统的电源控制。 特性优势 - 低导通电阻（Rds(on)）：减少功率损耗，提高效率。 - 小封装尺寸（TSSOP-6L）：适合空间受限的应用场景。 - 高开关速度：适用于高频开关应用。 - 静电防护能力：提高产品可靠性，适应复杂工作环境。 综上所述，SI4228DY-T1-GE3 在各类电子设备中具有广泛的适用性，尤其在便携式设备、电源管理和信号切换领域表现突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOICMOSFET 25 Volts 8 Amps 3.1 Watts |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 8 A |
| Id-连续漏极电流 | 8 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4228DY-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4228DY-T1-GE3SI4228DY-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 3.1 W |
| Pd-功率耗散 | 3.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 15 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 15 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 790pF @ 12.5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 18 毫欧 @ 7A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4228DY-T1-GE3DKR |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8A |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SI4228DY-GE3 |
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