Datasheet下载- 型号： FDMA2002NZ
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMA2002NZ由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMA2002NZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDMA2002NZ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDMA2002NZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDMA2002NZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDMA2002NZ 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列，属于晶体管 - FET、MOSFET - 阵列类别。该器件的主要应用场景包括： 1. 电源管理 FDMA2002NZ 适用于各种电源管理电路，例如 DC-DC 转换器、负载开关和电压调节模块。其低导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关特性使其能够高效地控制电流流动，减少功率损耗。 2. 电池保护与管理 在便携式设备中，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑，该器件可用于电池保护电路，防止过流、短路或反向充电等问题。它还可以用作电池组中的开关元件，实现精确的充放电控制。 3. 信号切换与隔离 FDMA2002NZ 的双通道设计非常适合用于多路信号切换应用，例如音频切换、数据总线切换或传感器信号隔离。其独立的栅极驱动允许灵活配置，满足不同信号路径的需求。 4. 电机驱动与控制 在小型电机驱动应用中，例如风扇、泵或伺服系统，该器件可以作为驱动电路的一部分，提供高效的开关功能以控制电机的启动、停止和速度调节。 5. 消费电子与工业自动化 该 MOSFET 阵列广泛应用于消费电子产品（如电视、音响系统）和工业自动化设备（如 PLC、继电器模块）。它可以用于开关电源、背光驱动、LED 控制以及电磁阀驱动等场景。 6. 通信设备 在通信领域，FDMA2002NZ 可用于基站、路由器和其他网络设备中的电源分配和信号切换。其高可靠性和低功耗特性有助于提高系统的整体性能。 7. 汽车电子 尽管 FDMA2002NZ 不是专门针对汽车级设计的产品，但在非关键性汽车应用中（如信息娱乐系统、车窗升降器或座椅调节器），它仍然可以发挥作用。 总结来说，FDMA2002NZ 凭借其紧凑的封装（如 SOIC-8）、优异的电气特性和双通道结构，成为许多低功耗、高效率应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | IC MOSFET N-CH DUAL MICROFET 2X2MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.9 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.9 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMA2002NZPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDMA2002NZ |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.5 W |
| Pd-功率耗散 | 1.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 75 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 75 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 8 ns |
| 下降时间 | 8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 220pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 123 毫欧 @ 2.9A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-MicroFET（2x2） |
| 其它名称 | FDMA2002NZTR |
| 典型关闭延迟时间 | 12 ns |
| 功率-最大值 | 650mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 40 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 75 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | MicroFET-6 2x2 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 2.9 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.9A |
| 系列 | FDMA2002NZ |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
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