Datasheet下载- 型号： SI6544BDQ-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI6544BDQ-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI6544BDQ-T1-GE3价格参考。VishaySI6544BDQ-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI6544BDQ-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI6544BDQ-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI6544BDQ-T1-GE3是一款P沟道增强型MOSFET阵列器件，采用双MOSFET配置，封装小巧（如PowerPAK SO-8双模封装），适用于空间受限的高效率电源管理设计。该器件主要应用于便携式电子设备和电池供电系统中。 典型应用场景包括：智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他移动设备中的电源开关与负载管理；用于电池极性保护、电源路径控制及热插拔电路；在DC-DC转换电路中作为同步整流或高端开关使用；也常见于USB电源管理、充电管理模块和低电压逻辑控制接口中。其低导通电阻（RDS(on)）和低阈值电压特性，有助于降低功耗，提高系统能效。 此外，SI6544BDQ-T1-GE3具备良好的热稳定性和可靠性，适合工业控制、消费类电子产品和便携式医疗设备等对稳定性要求较高的场合。由于其集成双MOSFET结构，可减少外围元件数量，缩小PCB面积，提升整体设计紧凑性。总之，该器件广泛用于需要高效、小型化、低功耗电源管理解决方案的现代电子系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI6544BDQ-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 43 毫欧 @ 3.8A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 其它名称 | SI6544BDQ-T1-GE3DKR |
| 功率-最大值 | 830mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.7A，3.8A |
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