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STL8DN10LF3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STL8DN10LF3由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STL8DN10LF3价格参考。STMicroelectronicsSTL8DN10LF3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 20A 70W Surface Mount PowerFlat™ (5x6)。您可以下载STL8DN10LF3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STL8DN10LF3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STL8DN10LF3是一款N沟道MOSFET阵列器件,采用双栅极设计,具有低导通电阻和高开关效率,适用于需要高效功率管理的场景。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:广泛用于DC-DC转换器、同步整流电路中,提升电源转换效率,常见于笔记本电脑、平板电源模块及主板供电系统。 2. 负载开关与电源开关控制:由于具备快速开关能力和低导通损耗,适合用作电池供电设备中的负载开关,如移动设备、便携式仪器,实现对电源路径的高效通断控制。 3. 电机驱动电路:在小型直流电机或步进电机驱动中作为开关元件,用于电动工具、打印机、家用电器等低功率电机控制模块。 4. 热插拔与过流保护电路:可用于服务器、通信设备的热插拔电源管理,配合控制电路实现过流、过温保护,提高系统可靠性。 5. LED背光驱动:在LCD显示屏背光控制中作为开关调节元件,实现亮度调节和节能运行。 该器件采用PowerFLAT 3.3x3封装,体积小、散热性能好,适合高密度PCB布局,广泛应用于消费电子、工业控制和便携式设备中。其符合RoHS标准,支持无铅焊接,满足现代环保要求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 100V 20A 5X6MOSFET Dual N-Ch 100V 7.8A 25mOhm STripFET III |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 20 A |
| Id-连续漏极电流 | 20 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STL8DN10LF3STripFET™ III |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STL8DN10LF3 |
| Pd-PowerDissipation | 70 W |
| Pd-功率耗散 | 70 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 35 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 35 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 970pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 35 毫欧 @ 4A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26067 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerFlat™(5x6) |
| 其它名称 | 497-13168-1 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1165/PF252579?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 70W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 封装/箱体 | PowerFLAT-8 5x6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 20A |
| 系列 | STL8DN10LF3 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |