Datasheet下载- 型号： ALD114835SCL
- 制造商： Advanced Linear Devices
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ALD114835SCL由Advanced Linear Devices设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ALD114835SCL价格参考。Advanced Linear DevicesALD114835SCL封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ALD114835SCL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ALD114835SCL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ALD114835SCL是Advanced Linear Devices Inc.生产的一款MOSFET阵列器件，属于低功耗、高精度的CMOS场效应晶体管阵列。该型号采用互补设计（包含N沟道和P沟道MOSFET），具有匹配良好的电气特性，适用于精密模拟电路。 其主要应用场景包括： 1. 精密信号调理电路：由于器件具有良好的阈值电压匹配性和低温漂特性，常用于传感器信号放大与调理，如压力、温度、光电信号处理。 2. 低功耗便携设备：在电池供电系统（如手持仪器、可穿戴设备）中，因其极低的静态电流和高能效，适合构建节能的开关或放大电路。 3. 模拟开关与多路复用器：可用于构建低失真、低导通电阻的模拟开关阵列，适用于数据采集系统中的信号路由。 4. 有源滤波器与振荡器：凭借稳定的跨导特性和线性工作范围，广泛用于构建高稳定性模拟滤波电路或精密定时电路。 5. 工业控制与测量仪器：在需要高可靠性和长期稳定性的工业自动化设备中，用于驱动小功率负载或实现高精度电压控制。 ALD114835SCL采用小型封装（如SOIC或DIP），便于集成于紧凑型电路板中，同时具备良好的抗干扰能力，适合在复杂电磁环境中稳定运行。总体而言，该器件特别适用于对精度、功耗和稳定性要求较高的模拟集成电路设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Depletion |
| 描述 | MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOICMOSFET Quad EPAD(R) N-Ch |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 耗尽模式 |
| FET类型 | 4 N 沟道，配对 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 12 mA |
| Id-连续漏极电流 | 12 mA |
| 品牌 | Advanced Linear Devices Inc |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Advanced Linear Devices ALD114835SCLEPAD® |
| mouser_ship_limit | 根据美国政府的出口法规规定，Mouser无法将此产品销售到您所在的国家。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ALD114835SCL |
| Pd-PowerDissipation | 500 mW |
| Pd-功率耗散 | 500 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 540 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 540 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 10 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 10 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 10.6 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10.6 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.45V @ 1µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2.5pF @ 5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 540 欧姆 @ 0V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 16-SOIC |
| 其它名称 | 1014-1060 |
| 典型关闭延迟时间 | 10 ns |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Advanced Linear Devices |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-16 |
| 工厂包装数量 | 48 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 70 C |
| 最小工作温度 | 0 C |
| 标准包装 | 48 |
| 正向跨导-最小值 | 0.0014 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 10.6V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12mA， 3mA |
| 系列 | ALD114835S |
| 通道模式 | Depletion |
| 配置 | Quad |
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