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详细数据请看参考数据手册
- 型号： SI1970DH-T1-E3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1970DH-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1970DH-T1-E3价格参考。VishaySI1970DH-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI1970DH-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI1970DH-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI1970DH-T1-E3 是一款双N沟道MOSFET阵列，采用1.8V逻辑电平兼容设计，适用于低电压、高效率的开关应用。该器件常用于便携式电子设备和空间受限的应用场景。 典型应用场景包括：智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电源管理与负载开关，用于控制不同功能模块的供电；电池供电系统中的电源切换和反向电流阻断；DC-DC转换器中的同步整流，提高转换效率；以及热插拔电路和LED驱动电路中的开关控制。 SI1970DH-T1-E3 采用先进的TrenchFET技术，具有低导通电阻（RDS(on)），可减少导通损耗，提升能效。其小型化封装（如SOT-23）节省PCB空间，适合高密度布局。此外，该器件具备良好的热稳定性和可靠性，可在较宽温度范围内稳定工作，适用于消费电子、工业控制和通信设备等领域。 综上，SI1970DH-T1-E3 广泛应用于需要高效、小型化和低功耗开关控制的电子系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI1970DH-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.6V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 95pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 225 毫欧 @ 1.2A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | SC-70-6 （SOT-363） |
| 其它名称 | SI1970DH-T1-E3DKR |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.3A |
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